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产(chan)品特(te)点(dian)：

- MOSFET晶圆(yuan)测试最大达16工位并行(xing)测试(shi)，每(mei)工(gong)位(wei)100v/10A测试能(neng)力(li)

- 高压(ya)选(xuan)件(jian)，最(zui)大(da)电压可达1000V

- 雪崩(beng)测试选件(jian)（UIS），最(zui)大(da)电(dian)流10A

- 其他(ta)交(jiao)流(liu)测试(shi)选件(jian)

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产品特点(dian)：

- 基于STS8200同一(yi)个基(ji)本测(ce)试(shi)平(ping)台，扩展(zhan)出分(fen)立(li)器件(jian)专(zhuan)用测试(shi)单元(yuan)

- 针对各(ge)类MOSFET，IGBT，肖特基二极(ji)管(guan)的测(ce)试

- 提供(gong)高电(dian)压，大(da)电(dian)流(liu)DC测试达2000V，200A

- 雪崩，热(re)阻，Cg/Rg 测试选件(jian)

- 动态(tai)测试(shi)Switching，Trr, Irr测试选(xuan)件(jian)

- 菜单(dan)式(shi)编程环(huan)境，分站(zhan)测(ce)试数据(ju)自动(dong)整(zheng)合(he)

- 在“CROSS”机(ji)柜(gui)下可(ke)扩展成(cheng)模拟IC测(ce)试(shi)机(ji)

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产品特(te)点(dian)：

-基于STS8200测(ce)试(shi)平(ping)台(tai)的GaN FET专用(yong)测(ce)试(shi)套(tao)件

-测试能力：1000V/10A DC

-内(nei)置(zhi)专用(yong)低漏(lou)电测(ce)试(shi)模(mo)块，提(ti)供专(zhuan)用低(di)漏(lou)电(dian)电缆(lan)至(zhi)探针(zhen)卡(ka)或(huo)机械(xie)手

-工(gong)位数：4/8工(gong)位(wei)并行测(ce)试 （配(pei)置(zhi)不同）

-支(zhi)持(chi)菜(cai)单式编程(cheng)

-动(dong)态Ron等参(can)数(shu)测试(shi)选件(jian)